單結(jié)晶體管 (Unijunction Transistor, 簡(jiǎn)稱 UJT ),臺(tái)灣稱單接合面電晶體,是一種只具有一個(gè) PN 接面的三端子半導(dǎo)體元件,三個(gè)端子分別是射極 (E)、基極一 (B1)、與基極二 (B2)。
構(gòu)造與工作原理單結(jié)晶體管的基極通常是由棒狀的、輕摻雜的 N 型硅質(zhì)半導(dǎo)體構(gòu)成,兩端分別以歐姆接觸連出 B1、B2 兩基極端子。射極則是由重?fù)诫s的 P 型硅質(zhì)半導(dǎo)體構(gòu)成。當(dāng)射極開(kāi)路時(shí),兩基極 B1、B2 間的電阻值稱為“基極間電阻”。
工作時(shí)兩基極給與偏壓,當(dāng)射極的電壓高于射極所在的基極分壓點(diǎn)上的電壓加二極管的導(dǎo)通電壓時(shí),射極開(kāi)始導(dǎo)通,由于基極只有輕摻雜,導(dǎo)通后對(duì)基極區(qū)域產(chǎn)生的調(diào)制作用,使電阻下降,而更有利于導(dǎo)通,因而產(chǎn)生負(fù)電阻效應(yīng)。1
類別原始的單結(jié)晶體管(UJT)
UJT 的代表性型號(hào)有 2N2646 與東芝的 2SH21
可編程化單結(jié)晶體管(Programmable Unijunction Transistor, 簡(jiǎn)稱PUT)
PUT 的內(nèi)部構(gòu)造其實(shí)是一種具有四層半導(dǎo)體的閘流體,與 UJT 并不一樣,只是具有類似的功能。 PUT 的三個(gè)端子是陽(yáng)極 (Anode, A)、陰極 (Cathode, K)、與閘極 (Gate, G)。 當(dāng)陽(yáng)極的電壓超過(guò)閘極時(shí)發(fā)生導(dǎo)通,因此,借由改變閘極的電壓,可以改變陽(yáng)極的觸發(fā)電壓。
PUT 的代表性型號(hào)有 2N6027 與日本 NEC 的 N13T-1 (GE 的 D13T-1)1
用途在1960年代至1970年代,單結(jié)晶體管在業(yè)余愛(ài)好者的電子電路中很普遍,因?yàn)樗梢杂煤芎?jiǎn)單的線路,只用一顆主動(dòng)元件就作成弛張振蕩器(例如方波振蕩器)。但自從集成電路的使用逐漸普及后,更多的應(yīng)用轉(zhuǎn)而使用 555 定時(shí)器 IC。
除了作弛張振蕩器之外,UJT 與 PUT 的另一主要用途是作為閘流體的觸發(fā)控制。
在日本舊有的標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體編號(hào)中,原配予單結(jié)晶體管所使用的 2SH 字頭,已改配予 N 通道 IGBT 使用。 2SH 編號(hào)的 UJT、PUT 在日本廠商中實(shí)已成廢棄品類。2
本詞條內(nèi)容貢獻(xiàn)者為:
尹維龍 - 副教授 - 哈爾濱工業(yè)大學(xué)