[科普中國]-自電光效應材料

自電光效應材料是指具有自電光效應的多量子阱(MQW)材料。

定義自電光效應材料是指具有自電光效應的多量子阱(MQW)材料1。

簡介MQW材料，阱寬小(10nm)，從而使阱中的激子結(jié)合能大大增加。結(jié)果在室溫也能觀察到輕、重兩個激子吸收峰。體材料中的激子較大(約30nm) ,結(jié)合能較小，通常只能在低溫才能觀察到激子峰由于激子效應，MQW材料在垂直于量子阱方句上加電場時，激子峰會向長波移動，這就是所謂的量子限制Stark效應（QCSE) 。激子峰的變化，導致對光的吸收變化，可構(gòu)成光調(diào)制器。另外，MQW材料也是一種很好的光探測材料。由超晶格-多量子阱-超晶格結(jié)構(gòu)所構(gòu)成的p-i-n光探測器，內(nèi)部量子效率可達100%。這種同時具有調(diào)制和探測功能的器件，稱自電光效應器件(SEED)。由光所引起的流過SEED的電流，將影響器件二端的電壓，該電壓又反過來影響對光的吸收。器件內(nèi)部存在著光電反饋現(xiàn)象。SEED的特性將由外部電子線路和光電反饋方式所決定2。

現(xiàn)狀及重要性根據(jù)這些特性，可構(gòu)成光學雙穩(wěn)器件，電學雙穩(wěn)器件，光學、電學振蕩器，自線性調(diào)制器等。已實現(xiàn)的自電光效應材料有，GaAs /AIGaAsMQW、InGaAs/InAIAsMQW、GaInAsP/InPMQW等。

應用由自電光效應材料所構(gòu)成的SEED，可在室溫工作，可高速運轉(zhuǎn)，可與其它光電器件，如二極管激光器、光探測器等兼容，在光通信、光計算、光信息處理等領(lǐng)域有廣泛用途3。

本詞條內(nèi)容貢獻者為:

邱學農(nóng) - 副教授 - 濟南大學