[科普中國]-砷化鎵

砷化鎵（gallium arsenide），化學式 GaAs。黑灰色固體，熔點1238℃。它在600℃以下，能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不被非氧化性的酸侵蝕。

砷化鎵是一種重要的半導體材料。屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)5.65×10-10m，熔點1237℃，禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵于1964年進入實用階段。砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個數(shù)量級以上的半絕緣高阻材料,用來制作集成電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。由于其電子遷移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速數(shù)字電路方面得到重要應(yīng)用。用砷化鎵制成的半導體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優(yōu)點。此外，還可以用于制作轉(zhuǎn)移器件──體效應(yīng)器件。砷化鎵是半導體材料中，兼具多方面優(yōu)點的材料,但用它制作的晶體三極管的放大倍數(shù)小，導熱性差，不適宜制作大功率器件。雖然砷化鎵具有優(yōu)越的性能，但由于它在高溫下分解，故要生產(chǎn)理想化學配比的高純的單晶材料，技術(shù)上要求比較高。

基本信息中文名稱：砷化鎵

英文名稱：gallanylidynearsane

英文別名：EINECS 215-114-8;Gallium monoarsenide;arsanylidynegallium;GALLIUM ARSENIDE;

CAS號：1303-00-0

分子式：AsGa

分子量：144.676003

安全信息符號：GHS08

信號詞：危險

危害聲明：H350; H372

警示性聲明：P201; P308 + P313

包裝等級：II

危險類別：6.1

海關(guān)編碼：2853009022

危險品運輸編碼：UN 1557 6.1/PG 2

WGK Germany：3

危險類別碼：R23/25

安全說明：S20/21; S28; S45; S60; S61

RTECS號：LW8800000

危險品標志：T; N3

主要特性

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